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金蚀刻剂 TFA
金薄膜蚀刻剂在光刻法制作微电子线路中用以选择蚀刻金。和光刻技术相结合这些蚀刻剂可在氧化铝或其他基板上的薄膜上制作精密电极和电阻图案。
金蚀刻液TFA：高纯度、低钠、0.2um过滤的蚀刻液可用于半导体和微电子领域，蚀刻金和镍。不含氰化物，用于制作标准产品。
金蚀刻液GE-8148：选择性的蚀刻液可在镍膜使用，较快的蚀刻速率。可消除在种子层快速的侧向蚀刻。不含氰化物，不浸蚀镍膜。
TFA | GE-8148 | |
操作温度 | 室温 | 室温 |
通风 | 建议用通风橱 | 建议用通风橱 |
搅拌 | 搅拌可加快蚀刻速率 | 搅拌可加快蚀刻速率 |
罐 | 玻璃 | 玻璃 |
蚀刻速率，25℃ | 28 Å/秒 | 50 Å/秒 |
组成 | 液体中含KI-I2络合物 | 液体中含KI-I2络合磷酸盐化合物 |
PH(20℃) | 8.15±0.2 | |
密度(20℃) | 1.265±0.01 | |
蚀刻能力(g/加仑) | 100 | 100 |
光刻胶相匹配性 | 正，负性光刻胶 | 正，负性光刻胶 |
冲洗 | 蒸溜水，去离子水 | 蒸溜水，去离子水 |
废液处理 | 按国家有关规定处理 | |
杂质最大含量 | (ppm) |
钠(Na) | 40 |
氯和溴(CL) | 100 |
铅(Pb) | 5 |
铁(Fe) | 3 |
硫(作为硫酸盐) | 50 |
磷(作为磷酸盐) | 10 |
